Sản phẩm máy hàn điện tử MMA- 400A TIGER Sử dụng g nghệ biến tần IGBT, tiết kiệm diện tích của máy biến áp chủ, nâng cao hiệu suất hàn lên đến 30%, bền hơn với mạch dò nhiệt và bảo vệ. Sử dụng được que hàn từ 1,6 - 3.2 ly, hàn được chấm boong que 4.0 ly cho mối hàn rất đẹp. Thích hợp với tất cả vật liệu hàn bằng sắt, g suất cực mạnh. Máy được các thợ hàn chuyên nghiệp ưa thích và được sử dụng rộng rãi trong xây dựng, cơ sở hàn, thiết bị cơ khí, xe, tàu, g ty quảng cáo.Máy hàn 400A

- So với những dòng máy hàn cơ trước đây thì máy hàn điện tử hiện nay được ứng dụng g nghệ mới IGBT tiên tiến và hiện đại hơn. Vậy ưu điểm vượt trội của máy hàn g nghệ IGBT là gì? Tiết kiệm điện hơn, dòng hàn ổn định Mối hàn đẹp và sáng hơn,mối hàn ngấu và đều đẹp. Trọng lượng nhẹ, dễ sử dụng

-Chiếc máy hàn que với thiết kế nhỏ gọn tiện lợi dễ sử dụng, thích hợp với đi g trìnhSử dụng g nghệ Inverter IGBT, tần số 20 KHz, giảm đáng kể kích thước và trọng lượng của máy hàn.Thiết kế tiên tiến cấp nguồn điện phụ trợ, Tạo ra một phạm vi rộng lớn hơn của nguồn điện hàn.

1. IGBT là gì?

IGBT viết tắt của cụm từ tiếng anh Insulated Gate Bipolar Transistor : Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn g suất 3 cực.IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. Mặt khác IGBT ng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó g suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏIGBT là một loại van g suất tuyệt vời. Khác với thysistor, IGBT cho phép bạn đóng cắt một cách vô tư bằng cách đặt điện áp điều khiển lên hai cực G và E. Điện áp ra đo được trên van rất đồng dạng với điện áp điều khiển. IGBT thường dùng trong các mạch biến tần hay các bộ băm xung áp một chiều. Driver của IGBT ng sẵn có ở Việt Nam, nhưng giá cả thì hơi cao.

2. Cấu tạo và nguyên lý hoạt độngCấu trúc mạch tương đương IGBT

Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET.Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector.